在硅片視覺檢測(cè)的初期發(fā)展階段，EL檢測(cè)（電致發(fā)光）方案被廣泛采用。該方案通過正向偏壓并觀察硅片的自發(fā)光情況來(lái)檢測(cè)缺陷。然而，EL檢測(cè)存在一些隱患，如二次隱裂風(fēng)險(xiǎn)和低檢測(cè)效率。二次隱裂風(fēng)險(xiǎn)指的是傳統(tǒng)EL檢測(cè)需要將探針接觸到硅片表面，可能引發(fā)硅片的二次隱裂，對(duì)硅片的完整性構(gòu)成潛在威脅。而檢測(cè)效率較低是因?yàn)閭鹘y(tǒng)EL檢測(cè)需要逐片進(jìn)行接觸式檢測(cè)，導(dǎo)致檢測(cè)速度較慢，限制了生產(chǎn)效率的提高。

隨著技術(shù)的進(jìn)步，PL檢測(cè)（光致發(fā)光）方案應(yīng)運(yùn)而生，成為EL檢測(cè)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。PL檢測(cè)利用特定波長(zhǎng)的激光對(duì)樣品進(jìn)行光學(xué)激發(fā)，通過高靈敏的相機(jī)感光和成像，實(shí)現(xiàn)非接觸式檢測(cè)。相比EL檢測(cè)，PL檢測(cè)具有諸多優(yōu)勢(shì)，如消除了二次隱裂風(fēng)險(xiǎn)、提高了檢測(cè)效率，并能準(zhǔn)確判斷硅片內(nèi)部缺陷情況。然而，PL檢測(cè)存在激光器和配套相機(jī)價(jià)格高昂的問題，限制了其廣泛應(yīng)用。

?1050nm紅外光源的突破性應(yīng)用

隨著硅片尺寸的增大和厚度的減小，近紅外光源發(fā)現(xiàn)了機(jī)會(huì)。經(jīng)過測(cè)試，發(fā)現(xiàn)波長(zhǎng)為1050nm的紅外光源可以穿透部分薄硅片。由于硅片對(duì)近紅外光具有較低的吸收率和較高的透光率，大部分紅外光可以穿透硅片。因此，我們可以從原硅片的另一側(cè)放置近紅外相機(jī)進(jìn)行成像，觀察硅片內(nèi)部和外觀的缺陷，如隱裂、崩邊缺角和表面臟污等。這種非接觸式檢測(cè)方法不僅避免了EL檢測(cè)接觸式檢測(cè)可能引發(fā)的二次隱裂風(fēng)險(xiǎn)，而且成本低于PL檢測(cè)使用的激光模組，同時(shí)提高了檢測(cè)效率和準(zhǔn)確性。

?低成本PL光源的革命性突破

在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的背景下，高昂的激光模塊價(jià)格勸退了許多廠家。此時(shí)，P-LSG-350-PL光源異軍突起，以價(jià)格低廉且同樣能激發(fā)硅片中處于基態(tài)的電子進(jìn)入激發(fā)態(tài)。這款光源在圖像效果上與激光模塊的效果一致，解決了PL檢測(cè)中激光模塊價(jià)格高且激光專用相機(jī)低像素價(jià)格就居高不下的問題。低成本PL光源的問世，使得更多廠家能夠采用高分辨率的相機(jī)，提高圖像的精度和檢測(cè)的準(zhǔn)確性。

硅片視覺檢測(cè)在過去的幾十年中經(jīng)歷了從EL檢測(cè)到PL檢測(cè)的技術(shù)轉(zhuǎn)變。然而，高成本的激光模組和配套設(shè)備限制了PL檢測(cè)的廣泛應(yīng)用。隨著1050nm紅外光源的突破性應(yīng)用和低成本PL光源的革命性突破，硅片視覺檢測(cè)迎來(lái)了全新的發(fā)展機(jī)遇。這兩款光源技術(shù)以其價(jià)格合理和性能卓越的特點(diǎn)，改變了硅片檢測(cè)的格局，光源已經(jīng)批量出貨，并得到客戶的持續(xù)好評(píng)。為廠家提供了更靈活、高效、準(zhǔn)確的選擇?？蛻魧?duì)1050nm紅外光源和低成本PL光源的持續(xù)好評(píng)進(jìn)一步證明了它們?cè)趯?shí)際應(yīng)用中的優(yōu)越性和可靠性。硅片視覺檢測(cè)行業(yè)正在迎接新的發(fā)展時(shí)代，光源的革命性突破為行業(yè)帶來(lái)了更廣闊的前景與機(jī)遇。